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局部背接觸結(jié)構(gòu)單晶Si 太陽電池的研

2011-02-02 6880 0.28M 0
勵旭東3 , 何少琪
(北京市太陽能研究所,北京100083)
摘要:報道了采用局部背接觸結(jié)構(gòu)的激光刻槽埋柵太陽電池的研究結(jié)果。模擬分析了局部背接觸結(jié)構(gòu)的作用,
設(shè)計了合理的電池結(jié)構(gòu)。通過工藝優(yōu)化,得到了轉(zhuǎn)換效率達(dá)到17. 28 %(大氣質(zhì)量AM = 1. 5 G,VOC = 650. 4
mV ,JSC = 33. 15 mA/ cm2 , FF= 0. 8014 ,電池面積為4 cm2 )的太陽電池。
關(guān)鍵詞:激光刻槽埋柵太陽電池; 局部背接觸結(jié)構(gòu)
中圖分類號:TM914. 4   文獻(xiàn)標(biāo)識碼:A   文章編號:100520086(2007) 0220184203


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