此次開發(fā)的是SiC外延生長薄膜的量產技術。具體來說，是把市售的直徑為3英寸、厚度為1cm左右的SiC底板削薄后，在上面形成具有高均勻度的SiC外延生長薄膜，再實施氮（N）摻雜）。通過在300mm晶圓制造裝置內排列多個3～4英寸的SiC晶圓，進行統(tǒng)一處理，還可實現(xiàn)量產?！巴ㄟ^利用東京電子的仿真系統(tǒng)，分析1600～1700℃的高溫下氣體的流動狀況并進行控制，能夠實現(xiàn)SiC膜均勻成形技術”。

　　SiC底板的切割方面，三家以與結晶面成4度的角度切割SiC底板，形成高品質薄膜。過去，以8度的角度切割底板較為常見，以更小的角度進行切割時，“極難形成均勻的膜”（京都大學工學研究系電子工學專業(yè)教授木本恒暢），此次這一問題得到了克服。這樣，在使用6英寸等更大的晶圓時，可以從昂貴的底板上切割出更多的晶圓。

　　雖然形成有SiC外延生長膜的SiC晶圓可以買到，但是由于“供貨商只有一家美國風險公司，品質上也存在質量不均勻問題”，因此三家決定自行開發(fā)。

    200℃高溫下漏電流仍然較小

　　使用上述晶圓開發(fā)半導體元件的業(yè)務主要由羅姆負責。目前試制完成的有SiC肖特基勢壘二極管（SBD）、SiC DMOS FET，以及由二者組成的SiC逆變器模塊等。SiC SBD與以往使用Si的高速二極管相比，擁有即使在200℃的高溫下也很少發(fā)生熱失控和漏電流增大現(xiàn)象，且半導體芯片面積較小的特點?！癝iC元件能夠以5mm見方的芯片處理100～200A的大電流。Si是做不到的”（羅姆研究開發(fā)本部長高須秀視）。

    SiC DMOS FET也具有在200℃以上的溫度下漏電流小，正向電阻的溫度依賴性小等特點。Si  DMOS則存在著在150℃以上的溫度下漏電流激增，正向電阻隨溫度升高增大的問題。