10月15日，中來對外宣布其最新研發(fā)結(jié)果出爐，基于新一代隧穿氧化層和無繞鍍原位摻雜非晶硅沉積的鈍化接觸技術(shù)制造的J-TOPCon 2.0電池，其量產(chǎn)平均效率可以實現(xiàn)24%以上，良率達到97%以上。

中來股份董事長林建偉對J-TOPCon2.0技術(shù)的應(yīng)用和發(fā)展非常有信心，他表示：“這次TOPCon技術(shù)的進步是我們多年夢寐以求的目標，我非常激動中來能夠引領(lǐng)行業(yè)，把TOPCon制造技術(shù)推向一個新的高度。我們愿意一起跟同行分享這個新技術(shù)，為高效太陽能電池的生產(chǎn)普及做貢獻。”


中來TOPCon 1.0制造工藝和技術(shù)是基于N 型硅片，通過隧穿氧化層和摻雜多晶硅實現(xiàn)鈍化接觸，大幅度提高電池效率。經(jīng)過多年研發(fā)和生產(chǎn)調(diào)試，中來量產(chǎn)效率雖然達到了世界領(lǐng)先的23.5%+，但是由于隧穿氧化層通過高溫氧化， LPCVD沉積非晶硅，離子注入摻磷，并經(jīng)高溫退火，多晶硅繞鍍清洗等多道工序完成。相比于PERC電池量產(chǎn)，生產(chǎn)成本和良率是長期困擾的難題。

此次J-TOPCon 2.0新技術(shù)是與江蘇杰太光電技術(shù)有限公司合作，利用其獨創(chuàng)的線性等離子源技術(shù)，共同開發(fā)了一套全新的POPAID技術(shù) (Plasma Oxidation & Plasma Assisted Insitu-doping Deposition)，等離子氧化及等離子輔助原位摻雜技術(shù)。POPAID利用鏈式平臺傳輸載板，能夠在不破真空情況下同時完成隧穿氧化和摻雜非晶硅沉積，真正做到無繞鍍。POPAID技術(shù)是全新的中國創(chuàng)新概念和技術(shù)，他是在光伏電池制造領(lǐng)域難得的中國原創(chuàng)、世界領(lǐng)先的鍍膜概念。

POPAID設(shè)備上實現(xiàn)了多項創(chuàng)新工藝，其中等離子氧化硅的形成（PO）對表面沒有損傷、而且鍍膜厚度在0.1nm精度范圍，真正實現(xiàn)了亞納米鍍膜工藝控制。和常規(guī)高溫氧化相比，隧穿鈍化效果更加優(yōu)越。

達到表面鈍化和接觸選擇性同時提升的效果，均勻性更佳。對于摻雜非晶硅鍍膜（PAID）工藝，該設(shè)備采用等離子強化的鍍膜工藝，實現(xiàn)摻雜的非晶硅膜沉積，退火后摻雜濃度可高達4×1020原子/cm3，是常規(guī)離子注入濃度的一倍以上。經(jīng)兩道工藝的整合，J-TOPCon 2.0電池效率超過常規(guī)離子注入0.2%以上，開路電壓（Voc），填充因子（FF）均有提升。良率也可提高2%。

POPAID裝備技術(shù)使一臺設(shè)備可以替代現(xiàn)有管式高溫氧化、管式LPCVD，離子注入去繞鍍清洗四道工序的四臺設(shè)備，量產(chǎn)設(shè)備產(chǎn)能達到8000片/小時。

中來稱，由于利用POPAID 技術(shù)使原來TOPCon 12道制造工序縮短到9道工序。這不僅提升電池效率，而且提升生產(chǎn)良率和降低生產(chǎn)成本，可跟高效PERC電池工藝流程相媲美?？梢哉f，J-TOPCon 2.0為新一代高效TOPCon電池的量產(chǎn)推廣鋪平了道路，這是對TOPCon技術(shù)的一次革命性貢獻。