經(jīng)濟(jì)部等機(jī)關(guān)今天在立院報(bào)告太陽(yáng)光電能源研發(fā)成果。經(jīng)濟(jì)部常次謝發(fā)達(dá)表示，經(jīng)濟(jì)部已促成技術(shù)授權(quán)金額新臺(tái)幣4729萬(wàn)元，產(chǎn)業(yè)投資28.4億元；2008年目標(biāo)為臺(tái)灣太陽(yáng)能電池生產(chǎn)設(shè)備自制力提升到 50%（目前 18%到 20%）。
　　立法院科技及資訊委員會(huì)今天邀請(qǐng)經(jīng)濟(jì)部、財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院、國(guó)防部軍備局中山科學(xué)研究院、行政院原子能委員會(huì)核能研究所、財(cái)團(tuán)法人國(guó)家實(shí)驗(yàn)研究院等首長(zhǎng)，就「臺(tái)灣太陽(yáng)光電能源研發(fā)單位之成果」進(jìn)行專(zhuān)案報(bào)告。
　　謝發(fā)達(dá)指出，經(jīng)濟(jì)部推動(dòng)太陽(yáng)光電產(chǎn)業(yè)研發(fā)策略與分工，包含工業(yè)局及技術(shù)處「發(fā)展多晶矽材料生產(chǎn)技術(shù)」，已完成高純度方向性鑄造原型設(shè)備技術(shù)及小型放大試產(chǎn)的設(shè)備與試車(chē)。
　　能源局「開(kāi)發(fā)高效率與低成本矽晶太陽(yáng)電池」，目前單晶矽轉(zhuǎn)換效率為17%，多晶矽為15%，預(yù)計(jì)2010年前單晶矽可達(dá)20%，多晶矽可達(dá)18%，薄晶片生產(chǎn)技術(shù)厚度小於 170微米，每千瓦成本由 3美元降到 2美元。
　　能源局及技術(shù)處「開(kāi)發(fā)次世代技術(shù)，建立太陽(yáng)光電新產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈」，內(nèi)容包含矽薄膜太陽(yáng)電池，將於2010年開(kāi)發(fā)出轉(zhuǎn)換效率 14%以上的高品質(zhì)微晶矽薄膜太陽(yáng)電池；2006年則已完成小面積高效率染料敏化太陽(yáng)電池技術(shù)開(kāi)發(fā)，轉(zhuǎn)換效率為10.12%。
　　而化合物薄膜太陽(yáng)電池未來(lái)材料成本為每瓦 1美元，發(fā)電成本為每度電10美分；第三代太陽(yáng)電池目標(biāo)為開(kāi)發(fā)光電轉(zhuǎn)換效率 10%的小型元件。
　　并由能源局「建立太陽(yáng)光電模組檢測(cè)驗(yàn)證技術(shù)」，目標(biāo)為2008年完成首座太陽(yáng)光電模組檢測(cè)驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)室，并通過(guò)CBTL（Certification Body TestingLaboratory ）國(guó)際認(rèn)證。
　　工業(yè)技術(shù)研究院院長(zhǎng)李鍾熙指出，全球太陽(yáng)光電產(chǎn)業(yè)規(guī)模2006年約88億美元，2013年將成長(zhǎng)到 308億美元（3.5倍），未來(lái)10年平均年增率為 25%到 30%；而臺(tái)灣太陽(yáng)電池產(chǎn)值2004年全球市占率2%（28億美元），2006年則是7%（ 212億美元），產(chǎn)值成長(zhǎng) 7.3倍。