美國能源部勞倫斯伯克利國家實驗室材料科學部的一支太陽能材料研究團隊，展示了一種能夠利用MOCVD技術(shù)制造的全光譜太陽電池。

研究團隊的領(lǐng)導人Wladek Walukiewicz表示，全光譜太陽電池的原理是將不同帶隙的半導體材料結(jié)合在一起。早些年前，Walukiewicz及其同事曾經(jīng)通過調(diào)整同一種合金中的銦和鎵含量，令其成為具有不同帶隙的半導體，再通過多層堆疊來實現(xiàn)對全太陽光譜敏感的光電器件。這種結(jié)構(gòu)各層之間的匹配較好，但結(jié)構(gòu)及制造工藝復雜。全光譜太陽電池的另一種制備方法是制造出單一的、但擁有超過一種帶隙的合金。Walukiewicz于2004年基于鋅（加錳）和碲制造出了一種高度不匹配的半導體合金，通過在這種合金中摻雜氧，他們在已有的兩個能帶之間插入了第三個能帶，產(chǎn)生了三種不同帶隙，從而覆蓋了全太陽光譜，但該方法仍然復雜、費時且成本高昂。

Walukiewicz研究團隊最近開發(fā)的太陽電池材料，是用氮取代部分砷原子，產(chǎn)生第三種中間能帶，基于高度不匹配合金制備出的另一種多能帶半導體。這一材料可以通過MOCVD方法制備得到。

研究的測試結(jié)果表明，射入器件的光線可以通過三種帶隙產(chǎn)生電流（價帶至中間帶、中間帶至導帶、價帶至導帶），并對全光譜產(chǎn)生強烈反應(yīng)。

相關(guān)研究成果發(fā)表在《Physical Review Letters》上3。