三菱電機在太陽能電池國際會議“PVSEC-17”上，發(fā)布了將多晶硅單元轉(zhuǎn)換效率提高至18％的成果。這是由官方認證機構(gòu)――產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所的測量結(jié)果。“為標準電極構(gòu)造中的最高數(shù)值。優(yōu)點是可使用現(xiàn)有生產(chǎn)線制造”（該公司）。除三菱電機外，京瓷使用背接觸構(gòu)造將多晶硅單元的轉(zhuǎn)換效率提高到了18.5％。

　　三菱電機曾在2000年的國際會議上發(fā)布過將多晶硅單元轉(zhuǎn)換效率提高至16.8％的成果。此次，首先通過控制表面凹凸的RIE Texture技術(shù)，將轉(zhuǎn)換效率提高至17.3％；在此基礎(chǔ)上再用氫不飽和鍵(Dangling Bond)加成技術(shù)將其提高至17.7％；最后通過減少布線面積將其提高至18％。

　　RIE Texture技術(shù)采用直徑為3μm的硅粒子作掩膜，通過蝕刻在晶圓表面形成數(shù)μm的凹凸。由于是在晶圓上涂布含硅溶液，以自組織方式排列硅，形成掩膜的成本得以削減至最低。

　　氫加成技術(shù)和電極面積縮減技術(shù)已經(jīng)應(yīng)用于部分量產(chǎn)產(chǎn)品。RIE Texture技術(shù)將在新引進的生產(chǎn)線上使用。另外三菱電機宣布，計劃在2010年之前將年產(chǎn)能提高至250MW。