3月21日，高溫超導硅單晶設(shè)備及晶體生產(chǎn)項目在寧夏回族自治區(qū)銀川經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)開工。

據(jù)悉，該項目計劃總投資100億元，占地面積430畝，分三期建設(shè)，其中一期計劃投資30億元，形成年產(chǎn)4萬噸高品質(zhì)單晶硅、年產(chǎn)600臺高溫超導光伏級單晶硅生長設(shè)備的生產(chǎn)能力。一期項目建成后，可實現(xiàn)年銷售收入35億元，年利稅3.5億元，帶動就業(yè)1000余人。二期總投資30億元，建設(shè)年產(chǎn)200臺高溫超導半導體級單晶硅生長設(shè)備制造、1萬噸高品質(zhì)半導體級硅晶體生長、切片項目。三期總投資40億元，建設(shè)高品質(zhì)半導體級拋光片、退火片項目。

銀川經(jīng)開區(qū)圍繞“中國新硅都”建設(shè)，已形成拉晶—切片—電池及坩堝、炭炭、串焊、支架等完整的產(chǎn)業(yè)鏈條，具備單晶硅棒147GW、硅片90GW、單晶電池15GW、光伏坩堝69萬只、支架80萬噸產(chǎn)能。