中國電力電子產業(yè)網訊 近日，第十屆中國電子信息技術年會在北京舉行。由南車時代電氣完成的《高壓高功率密度IGBT芯片和模塊研究開發(fā)及其應用》項目被授中國電子學會科技進步類一等獎榮譽。

《高壓高功率密度IGBT芯片和模塊研究開發(fā)及其應用》是對高功率密度IGBT的關鍵技術進行攻關研究，在芯片設計、仿真優(yōu)化、工藝整合、模塊設計、封裝測試、考核驗證、批量應用等方面取得突破，形成了一整套自主開發(fā)的高功率密度IGBT及其配套FRD芯片及模塊的設計技術和制造與封裝工藝，全面建成了完全自主知識產權的高功率密度IGBT芯片及模塊的“設計-工藝-應用”產業(yè)化平臺。這徹底打破我國在高端IGBT芯片領域核心技術與產品長期受制于人的局面。

研究成果經過嚴格的測試與應用考核，各項技術指標處于國際領先水平。產品在不同的領域成功實現(xiàn)批量應用，打通了我國先進功率半導體芯片-模塊-裝置-系統(tǒng)的完整產業(yè)鏈。

同時，南車時代電氣半導體事業(yè)部副總經理劉國友被評為“十佳中國電子學會優(yōu)秀科技工作者”。