SiC的物理和電學屬性使其成為短波長光電、高溫、耐輻射、高功率/高頻率電子器件的首選半導體材料。然而生長優(yōu)質的SiC單晶非常困難，其中第一要素就取決于SiC晶種的品質。晶種的類型、表面性質和吸附變化極大地影響著SiC晶體的生長類型、缺陷結構以及電學性質等等。

       合能陽光提供的SiC晶種，可充分滿足不同需求的客戶，優(yōu)質的晶種品質為客戶SiC長晶的成品率與晶片質量提供了可靠的保障。

       完全可以根據(jù)客戶需求提供不同品質的晶種。Micropipe密度，標準控制在30/cm²以內(nèi)，高品質可以控制在5/cm²以內(nèi)。

美國，歐洲，亞洲及國內(nèi)SiC襯底企業(yè)。