新日本制鐵（新日鐵）著手開展作為新一代功率半導體底板材料的SiC（碳化硅）晶圓業(yè)務。將從2009年4月1日起通過子公司新日鐵材料開始銷售直徑2～4英寸（50～100mm）的SiC晶圓。此前新日鐵一直提供試制用晶圓的樣品，而此次將從4月份起供應質(zhì)量可用于元件量產(chǎn)的晶圓。計劃2015年前后使該業(yè)務的年銷售額規(guī)模達100億日元?！昂翢o疑問，我們將成為僅次于（壟斷SiC晶圓市場的）美國可瑞（Cree）公司，成為業(yè)界第二。不過我們的晶圓質(zhì)量可是全球第一位的”（新日鐵材料董事社長石山照明）。

　　新日鐵材料將開始銷售直徑為2英寸（50mm）、3英寸（76mm）及4英寸（100mm）的n型4H-SiC晶圓。所有產(chǎn)品的中空貫通缺陷（微管）的存在密度均降到了1個/cm2以下。在引起元件成品率下降的位錯缺陷方面，與可瑞的晶圓相比，新日鐵的水平也毫不遜色。“為了提高SiC晶圓的結(jié)晶質(zhì)量，采用了通過制鐵用高爐開發(fā)的超高溫溫度控制技術”（新日鐵新材料研究部長大橋渡）。

日本國內(nèi)首次推出直徑100mm晶圓，150mm晶圓將于2011年樣品供貨

　　這是日本國內(nèi)廠商首次推出直徑100mm的SiC晶圓產(chǎn)品（參閱本站報道1，參閱本站報道2）。該尺寸是量產(chǎn)元件時使用的最小尺寸，因此，此次實現(xiàn)產(chǎn)品化“將成為加快SiC晶圓元件量產(chǎn)步伐的原動力”（新日鐵材料董事兼技術部長巽宏平）。可瑞計劃09年～2010年推出的直徑6英寸（150mm）的晶圓產(chǎn)品，“將于2011年開始樣品供貨”（巽宏平）。另外，新日鐵此次推出的直徑50～100mm的晶圓產(chǎn)品均為沒有形成外延膜（Epitaxial Film）的普通晶圓（Bulk Wafer）。關于事先形成外延膜的外延晶圓（Epitaxial wafer），“我們已經(jīng)擁有制造設備，目前正在探討當業(yè)務需求增高時如何實現(xiàn)業(yè)務化的問題”（巽宏平）。

2009年3月26日舉辦了新聞發(fā)布會。左側(cè)為新日鐵材料董事社長石山照明。右側(cè)為新日本制鐵尖端技術研究所所長橋本操。

新日鐵推出的直徑2～4英寸（50～100mm）的SiC晶圓產(chǎn)品。

 
提倡實現(xiàn)業(yè)界最高質(zhì)量水平。

　　新日鐵材料最初計劃主要面向日本國內(nèi)元件廠商銷售SiC晶圓。生產(chǎn)基地為該公司的子公司日鐵微金屬的寄居工廠（?玉縣）。預計最初以月產(chǎn)200～400張的規(guī)模進行量產(chǎn)，年銷售額將達數(shù)億日元。隨著元件市場的發(fā)展，“生產(chǎn)規(guī)模及銷售額也將實現(xiàn)數(shù)倍以上的增長”（巽宏平）。關于SiC功率半導體的用途，“最初將應用于產(chǎn)業(yè)設備、服務器及太陽能電池等領域，隨后擴大到混合動力車及電動汽車領域”（新日鐵材料的石山）。

“不同于硅晶圓”

　　新日鐵并不是首次開展半導體晶圓業(yè)務。該公司此前曾開展過硅晶圓業(yè)務，不過03年退出了該業(yè)務。此次，關于開展SiC晶圓業(yè)務的理由，該公司例舉了兩點。“第一，與硅晶圓時期不同，在開展業(yè)務的過程中可確保自主開發(fā)的技術；第二，設備投資規(guī)模小，開展業(yè)務的風險較小”（新日鐵材料的石山）。（記者：大下 淳一）