松下公司今日宣布,公司的光伏組件已在研究層面實(shí)現(xiàn)高達(dá)23.8%(采光面積*3:11,562 cm2)的轉(zhuǎn)換效率,該數(shù)據(jù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)打破晶體硅光伏組件此前的轉(zhuǎn)換效率世界紀(jì)錄。

晶體硅光伏組件轉(zhuǎn)換效率此前的世界記錄是22.8% *4。松下將轉(zhuǎn)換效率提高了整整一個(gè)百分點(diǎn),已經(jīng)打破了世界最高轉(zhuǎn)換效率記錄。2014年4月,松下宣布公司的硅異質(zhì)結(jié)電池實(shí)現(xiàn)高達(dá)25.6%*4的世界最高轉(zhuǎn)換效率。因此,松下同時(shí)保持著晶體硅太陽(yáng)能電池和晶體硅光伏組件的轉(zhuǎn)換效率世界記錄。

松下開(kāi)發(fā)出一種獨(dú)特的硅異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)*5,該結(jié)構(gòu)由晶體硅襯底和非晶硅層組成,而且自投入商業(yè)生產(chǎn)以來(lái),松下一直致力于利用硅異質(zhì)結(jié)改進(jìn)其光伏組件HITTM。這一新記錄的創(chuàng)造得益于松下進(jìn)一步發(fā)展其面向高效率太陽(yáng)能電池和組件(采用背接觸式太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)*6)的專(zhuān)有異質(zhì)結(jié)技術(shù)。
未來(lái),松下將繼續(xù)推動(dòng)其光伏組件HITTM的技術(shù)發(fā)展,旨在實(shí)現(xiàn)更高的效率和可靠性以及更低的成本,并努力實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。
*HIT是松下集團(tuán)的商標(biāo)。
*1 根據(jù)松下截至2016年2月18日對(duì)晶體硅光伏組件的調(diào)查。
*2 日本國(guó)家工業(yè)科學(xué)技術(shù)研究所(AIST)的評(píng)估結(jié)果。
*3 組件面積是掩膜板打開(kāi)的采光面積(11,562 cm2)。
*4 SunPower(美國(guó)),2015年11月。根據(jù)“太陽(yáng)能電池效率表(47版)”判斷 [Prog. Photovolt: Res. Appl. 2016; 24:3-11]
*5 太陽(yáng)能電池所需的層結(jié)形成技術(shù),利用非晶硅層覆蓋硅襯底表面。該技術(shù)的關(guān)鍵特性在于其優(yōu)越的鈍化層,可彌補(bǔ)硅襯底表面區(qū)域的諸多瑕疵。
*6 利用太陽(yáng)能電池背面的電極消除正面電極陰影損失的技術(shù),可更有效地利用太陽(yáng)光。

晶體硅光伏組件轉(zhuǎn)換效率此前的世界記錄是22.8% *4。松下將轉(zhuǎn)換效率提高了整整一個(gè)百分點(diǎn),已經(jīng)打破了世界最高轉(zhuǎn)換效率記錄。2014年4月,松下宣布公司的硅異質(zhì)結(jié)電池實(shí)現(xiàn)高達(dá)25.6%*4的世界最高轉(zhuǎn)換效率。因此,松下同時(shí)保持著晶體硅太陽(yáng)能電池和晶體硅光伏組件的轉(zhuǎn)換效率世界記錄。

松下開(kāi)發(fā)出一種獨(dú)特的硅異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)*5,該結(jié)構(gòu)由晶體硅襯底和非晶硅層組成,而且自投入商業(yè)生產(chǎn)以來(lái),松下一直致力于利用硅異質(zhì)結(jié)改進(jìn)其光伏組件HITTM。這一新記錄的創(chuàng)造得益于松下進(jìn)一步發(fā)展其面向高效率太陽(yáng)能電池和組件(采用背接觸式太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)*6)的專(zhuān)有異質(zhì)結(jié)技術(shù)。
未來(lái),松下將繼續(xù)推動(dòng)其光伏組件HITTM的技術(shù)發(fā)展,旨在實(shí)現(xiàn)更高的效率和可靠性以及更低的成本,并努力實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。
*HIT是松下集團(tuán)的商標(biāo)。
*1 根據(jù)松下截至2016年2月18日對(duì)晶體硅光伏組件的調(diào)查。
*2 日本國(guó)家工業(yè)科學(xué)技術(shù)研究所(AIST)的評(píng)估結(jié)果。
*3 組件面積是掩膜板打開(kāi)的采光面積(11,562 cm2)。
*4 SunPower(美國(guó)),2015年11月。根據(jù)“太陽(yáng)能電池效率表(47版)”判斷 [Prog. Photovolt: Res. Appl. 2016; 24:3-11]
*5 太陽(yáng)能電池所需的層結(jié)形成技術(shù),利用非晶硅層覆蓋硅襯底表面。該技術(shù)的關(guān)鍵特性在于其優(yōu)越的鈍化層,可彌補(bǔ)硅襯底表面區(qū)域的諸多瑕疵。
*6 利用太陽(yáng)能電池背面的電極消除正面電極陰影損失的技術(shù),可更有效地利用太陽(yáng)光。