根據(jù)一家領先的中國硅片生產商的負責人，單晶硅片的非硅成本正在直線下滑，可能挑戰(zhàn)單晶硅片的優(yōu)勢。

盡管2014版的國際光伏技術路線圖(ITRPV)表示，預計到2024年單晶硅片將占據(jù)晶硅市場的50%左右，但是隆基硅材料公司董事長李振國在SNEC 2014期間接受PV-Tech采訪時表示，對于單晶硅片非硅的需求正在導致大規(guī)模產能擴張。

李振國在接受PV-Tech采訪時表示，位于中國的一家專門單晶硅片生產商隆基計劃到2014年底將產能擴張到3GW，以滿足預期需求，其將導致2015年再增加1GW產能。

李振國指出：“隆基認為，單晶硅較多晶硅而言具有較低的每千瓦時成本，即使在安裝成本低于其他市場的中國。然而，由于歷史原因，主要的中國光伏組件廠擁有巨大多晶硅產能，因此他們總是推動市場上的多晶硅光伏組件。因此多晶硅組件占據(jù)大部分市場。”

該隆基執(zhí)行官，半導體硅材料行業(yè)資深人士強調，關鍵市場，如中國、日本、美國及歐洲，由于市場補貼削減，以及支持從地面安裝轉向屋頂(商業(yè)和住宅)需要更高產量的組件，以及單晶硅片或電池產量下降的特點，正在越來越需要高性能單晶硅組件。

預計中國政府將上網(wǎng)電價補貼支持轉移向分布式發(fā)電的舉動也將組件選擇以比此前預期更快的速度轉移到單晶硅而非多晶硅。

根據(jù)李振國，然而，需求動態(tài)僅僅是部分情況。他指出，該公司數(shù)年來一直強烈專注于降低單晶硅片的非硅生產成本，較成本降低推動力而言一個關鍵的長期問題，在同一時間內還看到多晶硅片巨大的產能擴張。

李振國補充道：“過去幾年，隆基已經頒布九十五項專利及專利申請權，并且推出十項非專利技術創(chuàng)新，包括業(yè)界領先的橫向磁場拉晶技術、單晶改性技術、單晶硅拉晶機熱屏蔽技術、再充電技術以及金剛石線切割技術等。”

這些發(fā)展已經提高新的和現(xiàn)有的生產設備的生產率，同時降低勞動力成本，但是提高整體產量和質量。

做出的巨大改善降低整體周期時間，具有較高的拉制速度，同時移至更大及更長的硅錠。由于規(guī)模經濟，提高的單晶硅組件需求進一步降低非硅成本。

因此，該隆基執(zhí)行官強調，較多晶硅而言，單晶硅片有競爭力的成本結構將嚴重影響未來硅片產品市場結構。

李振國指出，就在三年前，單晶硅產品的非硅成本為每瓦0.20至0.25美元，而多晶硅片非硅生產成本為每瓦0.17至0.18美元。

目前，根據(jù)李振國，這一差距已經顯然縮小了，隆基稱單晶成本為每瓦0.12美元，而平均多晶成本為每瓦約為0.10美元。

由于李振國援引未來三年單晶非硅成本削減至每瓦0.06至0.07美元的成本削減路線圖，成本差距將進一步縮小。

盡管據(jù)說生產成本降低一直是至關重要的，但是著眼于下游來提高單晶硅組件的收益也將在單晶硅片使用復興方面發(fā)揮重要作用。

李振國指出：“由于單晶硅電池和組件具有高效率，單晶硅安裝成本節(jié)省顯著，并且單晶硅在地面和分布式發(fā)電站中都具有優(yōu)勢。整合光伏系統(tǒng)可變成本以及實際發(fā)電溢價的貢獻，單晶硅片較多晶硅片貢獻多0.48至0.789美元，其將進一步超過單晶硅片和多晶硅片的價格差(約0.29美元, 2013/4)。

根據(jù)李振國，關于高效N型單晶硅片生產成本較P型單晶硅生產成本還有一個普遍的行業(yè)誤解。

該隆基董事長表示，由于公司擁有成熟的N型單晶硅生產設備和技術，其還可以用于兩種類型的單晶硅片生產，非硅成本差異小于10%，普遍認為成本不高。

李振國補充道：“隨著N性單晶硅需求的提高，隨著N型產能擴大，成本差異將縮小。”

李振國表示，由于在幾年的抑制單晶硅產品研發(fā)和產能擴張之后，越來越多的太陽能電池制造商著眼于提高單晶硅電池產量，他相信單晶硅片的采用將從2014年開始在未來幾年大幅提高。

李振國總結道：“單晶硅的春天即將到來。”